技术参数/额定电压(DC)： | -20.0 V |
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技术参数/额定电流： | -5.40 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 26.0 mΩ |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1.47 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±10.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 5.40 A |
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技术参数/上升时间： | 25.0 ns |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC |
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外形尺寸/封装： | SOIC |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tape |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTMS5P02R2G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOIC-8 |
P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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