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型号: NTMD6N03R2G
描述: ON SEMICONDUCTOR NTMD6N03R2G. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOIC
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封 装: SOIC-8
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/额定电压(DC):

30.0 V

 

技术参数/额定电流:

6.00 A

 

技术参数/通道数:

2

 

技术参数/针脚数:

8

 

技术参数/漏源极电阻:

0.024 Ω

 

技术参数/极性:

Dual N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

2 W

 

技术参数/阈值电压:

1.8 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

30 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±20.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

6.00 A

 

技术参数/上升时间:

22.0 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

950pF @24V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

1.29 W

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

2000 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

SOIC-8

 

外形尺寸/长度:

5 mm

 

外形尺寸/宽度:

4 mm

 

外形尺寸/高度:

1.5 mm

 

外形尺寸/封装:

SOIC-8

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon (英飞凌) 功能相似 SOIC-8
INFINEON IRF7313TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
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