技术参数/额定电压(DC)： | 20.0 V |
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技术参数/额定电流： | 5.20 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 25.0 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1.3 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20.0 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 20.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±12.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 5.20 A |
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技术参数/上升时间： | 7 ns |
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技术参数/下降时间： | 7 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/封装(公制)： | 3216 |
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封装参数/封装： | ChipFET-8 |
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外形尺寸/长度： | 3.05 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.65 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.05 mm |
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外形尺寸/封装(公制)： | 3216 |
|
外形尺寸/封装： | ChipFET-8 |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTHS5404T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SMD-8 |
ON SEMICONDUCTOR NTHS5404T1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 20 V, 25 mohm, 4.5 V, 600 mV
|
||
SI5432DC-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | 1206 |
Si5432DC Series N-Channel 20V 20mOhms SMT Power Mosfet - 1206-8 ChipFET
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