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型号: NTHD4P02FT1
描述: 功率MOSFET和肖特基二极管 Power MOSFET and Schottky Diode
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封 装: SOT-23-8
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包装方式: Tape
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技术参数/额定电压(DC):

-20.0 V

 

技术参数/额定电流:

-3.00 A

 

技术参数/漏源极电阻:

200 mΩ

 

技术参数/极性:

P-Channel

 

技术参数/耗散功率:

1.10 W

 

技术参数/输入电容:

300 pF

 

技术参数/栅电荷:

6.00 nC

 

技术参数/栅源击穿电压:

±12.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

2.20 A

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/封装:

SOT-23-8

 

外形尺寸/封装:

SOT-23-8

 

其他/产品生命周期:

Obsolete

 

其他/包装方式:

Tape

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Contains Lead

 

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