技术参数/额定电压(DC)： | -20.0 V |
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技术参数/额定电流： | -2.00 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 65.0 mΩ |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 500mW (Ta) |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±12.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 2.20 A |
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技术参数/上升时间： | 18.0 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 565pF @5V(Vds) |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 500mW (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 6 |
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封装参数/封装： | SOT-23-6 |
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外形尺寸/封装： | SOT-23-6 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTGS3443T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-6 |
ON SEMICONDUCTOR NTGS3443T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -950 mV
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