技术参数/额定电压(DC)： | -60.0 V |
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技术参数/额定电流： | -12.0 A |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.155 Ω |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 55 W |
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技术参数/阈值电压： | 2.8 V |
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技术参数/输入电容： | 750 pF |
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技术参数/栅电荷： | 30.0 nC |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 12.0 A |
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技术参数/上升时间： | 45 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 750pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 55 W |
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技术参数/下降时间： | 48 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 55 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | Motor Drive & Control, Power Management, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2018/01/15 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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NTD2955T4G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
ON SEMICONDUCTOR NTD2955T4G 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.155 ohm, -10 V, -2.8 V
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