技术参数/额定电压(DC)： | 30.0 V |
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技术参数/额定电流： | 35.0 A |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 15 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1.92 W |
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技术参数/阈值电压： | 1.5 V |
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技术参数/输入电容： | 770 pF |
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技术参数/栅电荷： | 6.60 nC |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 35.0 A |
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技术参数/上升时间： | 21.4 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 770pF @12V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.26 W |
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技术参数/下降时间： | 3.5 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTD4815N-1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-251-3 |
35A,30V功率MOSFET
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