技术参数/针脚数： | 4 |
|
技术参数/漏源极电阻： | 0.0082 Ω |
|
技术参数/极性： | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 35.7 W |
|
技术参数/阈值电压： | 1.45 V |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 10A |
|
技术参数/上升时间： | 20 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 1035pF @12V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 1.1 W |
|
技术参数/下降时间： | 3 ns |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 1.1W (Ta), 35.7W (Tc) |
|
封装参数/安装方式： | Through Hole |
|
封装参数/引脚数： | 4 |
|
封装参数/封装： | TO-251-3 |
|
外形尺寸/封装： | TO-251-3 |
|
物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Tube |
|
其他/制造应用： | Automation & Process Control, Computers & Computer Peripherals, Automation & Process Control, Power Management, , Computers & Computer Peripherals, Power Management |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
|
符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTD4810NH-35G
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-251-3 |
功率MOSFET的30 V ， 54 A单N沟道， DPAK / IPAK Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价