技术参数/额定电压(DC)： | 60.0 V |
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技术参数/额定电流： | 45.0 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 26.0 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 125 W |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/输入电容： | 1.72 nF |
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技术参数/栅电荷： | 46.0 nC |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 60.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 45.0 A |
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技术参数/上升时间： | 101 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1224pF @25V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 106 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 125000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | D2PAK-263 |
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外形尺寸/封装： | D2PAK-263 |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/最小包装： | 800 |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTB45N06L
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | D2PAK-263 |
45安培， 60伏特，逻辑电平， N沟道TO- 220和D2PAK 45 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel TO−220 and D2PAK
|
||
NTB45N06T4
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | D2PAK-263 |
功率MOSFET 45安培， 60伏 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
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