技术参数/频率： | 120 MHz |
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技术参数/无卤素状态： | Halogen Free |
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技术参数/极性： | PNP |
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技术参数/耗散功率： | 2000 mW |
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技术参数/增益频宽积： | 120 MHz |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 100 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 3A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 120 @500mA, 2V |
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技术参数/最大电流放大倍数(hFE)： | 150 |
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技术参数/额定功率(Max)： | 800 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | TO-261-4 |
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外形尺寸/长度： | 6.5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.5 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.57 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-261-4 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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NSV1C200MZ4T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-223-4 |
100 V， 2.0 A ，低VCE （ sat）的PNP晶体管 100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
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NSS1C200MZ4T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-261-4 |
100 V， 2.0 A ，低VCE （ sat）的PNP晶体管 100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
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