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型号： NP80N04MLG-S18-AY
描述： MOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
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品 牌： Renesas Electronics (瑞萨电子)
封 装： TO-220
货 期：
包装方式： Tube, Rail
标准包装数： 1
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  • 数量： 库存(8375) 起订量(1)
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技术参数/极性：

N-CH

 

技术参数/漏源极电压(Vds)：

40 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids)：

80A

 

封装参数/安装方式：

Through Hole

 

封装参数/封装：

TO-220

 

外形尺寸/封装：

TO-220

 

其他/产品生命周期：

Unknown

 

其他/包装方式：

Tube, Rail

 

符合标准/RoHS标准：

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准：

Lead Free

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
NP80N04NDG-S18-AY NP80N04NDG-S18-AY Renesas Electronics (瑞萨电子) 类似代替 TO-262
MOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
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