技术参数/频率： | 2 GHz |
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技术参数/额定电流： | 120 mA |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 125 mW |
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技术参数/漏源击穿电压： | 2.00 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 10.0 mA |
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技术参数/输出功率： | 18 dBm |
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技术参数/增益： | 14 dB |
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技术参数/测试电流： | 10 mA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 175 mW |
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技术参数/额定电压： | 4 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | SOT-343 |
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外形尺寸/高度： | 0.59 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-343 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NE3508M04-T2-A
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 类似代替 | Mini-Mold |
Trans JFET N-CH 4V 120mA 4Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 类似代替 |
Trans JFET N-CH 4V 120mA 4Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
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NEC (日本电气) | 类似代替 |
Trans JFET N-CH 4V 120mA 4Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
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