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描述: Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052NE7N3GXKSA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定功率:

150 W

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0047 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

150 W

 

技术参数/阈值电压:

3.1 V

 

技术参数/输入电容:

3570 pF

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

75 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

80A

 

技术参数/上升时间:

11 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

4750pF @37.5V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

150 W

 

技术参数/下降时间:

8 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

150W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.36 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.57 mm

 

外形尺寸/高度:

15.95 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

其他/制造应用:

Isolated DC-DC converters (telecom and datacom systems), Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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