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描述: 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist
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封 装: SOT-23-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/耗散功率:

200 mW

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

10 V

 

技术参数/增益:

9 dB

 

技术参数/最小电流放大倍数(hFE):

80 @10mA, 6V

 

技术参数/额定功率(Max):

200 mW

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

200 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

SOT-23-3

 

外形尺寸/高度:

1.4 mm

 

外形尺寸/封装:

SOT-23-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Obsolete

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

Non-Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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