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型号: NDS9936
描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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封 装: SOIC-8
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC):

30.0 V

 

技术参数/额定电流:

5.00 A

 

技术参数/极性:

N-CH

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

5.00 A

 

技术参数/输入电容(Ciss):

525pF @15V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

900 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

SOIC-8

 

外形尺寸/封装:

SOIC-8

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

End of Life

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
SI4435DY SI4435DY Kexin 类似代替 SOP-8
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V
FDS9926A FDS9926A Fairchild (飞兆/仙童) 类似代替 SOIC-8
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9926A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V

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