技术参数/额定电压(DC)： | 30.0 V |
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技术参数/额定电流： | 3.70 A |
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技术参数/通道数： | 2 |
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技术参数/漏源极电阻： | 60 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 2 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 30 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 3.70 A |
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技术参数/上升时间： | 13 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 320pF @10V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 900 mW |
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技术参数/下降时间： | 5 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 4.9 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.9 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.75 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2013/06/20 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Kexin | 类似代替 | SOP-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V
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FDS9926A
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9926A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
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