技术参数/极性： | N-CH |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 600 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 0.3A |
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技术参数/上升时间： | 6 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 170pF @25V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 8 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | SOT-223 |
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外形尺寸/封装： | SOT-223 |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STN1HNK60
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-261-4 |
STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
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