技术参数/额定电压(DC)： | 30.0 V |
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技术参数/额定电流： | 7.30 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 28.0 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 2.5W (Ta) |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 30.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 7.30 A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 830pF @15V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1 W |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2.5W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Rochester (罗切斯特) | 类似代替 | SOIC |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6630A 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1.7 V
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FDS6612A
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6612A 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
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