技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.3 Ω |
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技术参数/耗散功率： | 0.5 W |
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技术参数/阈值电压： | 2 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/上升时间： | 17 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 280pF @10V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 460 mW |
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技术参数/下降时间： | 38 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 500 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23-3 |
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外形尺寸/长度： | 2.92 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.4 mm |
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外形尺寸/高度： | 0.94 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-23-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 计算机和计算机周边, 电源管理, 便携式器材 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NDS356AP
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Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS356AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
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NDS356AP
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS356AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V
|
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IRLML5103TRPBF
|
IFA | 功能相似 |
INFINEON IRLML5103TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
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IRLML5203TRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | SOT-23-3 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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