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型号: NDP7060
描述: N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定电压(DC):

60.0 V

 

技术参数/额定电流:

75.0 A

 

技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

13 mΩ

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

150 W

 

技术参数/阈值电压:

2.8 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

60 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

60 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±20.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

75.0 A

 

技术参数/上升时间:

128 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

3600pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

150 W

 

技术参数/下降时间:

90 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

150W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.67 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.7 mm

 

外形尺寸/高度:

16.3 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
NTP75N06G NTP75N06G ON Semiconductor (安森美) 功能相似 TO-220-3
75A60v功率MOSFET
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