技术参数/极性: | N-CH |
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技术参数/漏源极电压(Vds): | 20 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids): | 1.7A |
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技术参数/输入电容(Ciss): | 240pF @10V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max): | 460 mW |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/封装: | SOT-23-3 |
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外形尺寸/封装: | SOT-23-3 |
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物理参数/工作温度: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Unknown |
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其他/包装方式: | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 类似代替 | SOT-23 |
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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