技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.041 Ω |
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技术参数/耗散功率： | 60 W |
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技术参数/阈值电压： | 700 mV |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/上升时间： | 27 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1590pF @10V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 60 W |
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技术参数/下降时间： | 70 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 60 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-263-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.67 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.83 mm |
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外形尺寸/高度： | 11.33 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 175℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NDB6020P
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 功能相似 | TO-263 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDB6020P 晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -20 V, 0.041 ohm, -4.5 V, -700 mV
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