技术参数/额定电压(DC)： | 18.0 V |
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技术参数/容差： | ±5 % |
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技术参数/额定功率： | 500 mW |
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技术参数/正向电压： | 1.2V @200mA |
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技术参数/耗散功率： | 500 mW |
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技术参数/稳压值： | 18 V |
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技术参数/正向电压(Max)： | 1.1V @200mA |
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技术参数/额定功率(Max)： | 500 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 200 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-204AH |
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外形尺寸/封装： | DO-204AH |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 200℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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1N5240BTR
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | DO-35 |
ON Semiconductor 1N5240BTR 单路 齐纳二极管, 10V 5% 500 mW, 2引脚 DO-35封装
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1N5248B
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5248B 单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 类似代替 | 2 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5248B 单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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EIC | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5248B 单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5248B 单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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先科ST (先科) | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5248B 单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | DO-7 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5248B 单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Rectron Semiconductor | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5248B 单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5538B
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | DO-204AH |
无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW
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Central Semiconductor | 类似代替 | DO-35 |
无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW
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Jinan Gude Electronic Device | 类似代替 |
无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW
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Bourns J.W. Miller (伯恩斯) | 功能相似 | SOD-123 |
Diode: Zener; 0.5W(1/2W); 12V; SMD; reel, tape; SOD123
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FMS (美丽微) | 功能相似 | SOD-123 |
Diode: Zener; 0.5W(1/2W); 12V; SMD; reel, tape; SOD123
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