技术参数/极性: | N-CH |
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技术参数/耗散功率: | 2.14 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds): | 40 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids): | 6.3A |
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技术参数/上升时间: | 2.7 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss): | 453pF @20V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max): | 1.8 W |
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技术参数/下降时间: | 6 ns |
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技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 2140 mW |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 8 |
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封装参数/封装: | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装: | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准: | No SVHC |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Diodes Zetex (捷特科) | 类似代替 | SOIC-8 |
DMP4050SSS 系列 40 V 4.4 A P-沟道 增强型 Mosfet - SOIC-8
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