技术参数/电源电压(DC)： | 35.0V (max) |
|
技术参数/上升/下降时间： | 16ns, 13ns |
|
技术参数/输出接口数： | 2 |
|
技术参数/输出电流： | 4 A |
|
技术参数/上升时间： | 18 ns |
|
技术参数/下降时间： | 17 ns |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 125 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | 55 ℃ |
|
技术参数/电源电压： | 4.5V ~ 35V |
|
技术参数/电源电压(Min)： | 4.5 V |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 8 |
|
封装参数/封装： | SOIC-8 |
|
外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
|
物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Obsolete |
|
其他/包装方式： | Tube |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IXDN602SIATR
|
Clare | 类似代替 | SOIC-8 |
IXDN 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 双 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8
|
||
IXDN602SITR
|
Clare | 类似代替 | SOIC-8 |
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价