技术参数/额定电压(DC)： | 200 V |
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技术参数/额定电流： | 32.0 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.075 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 180 W |
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技术参数/输入电容： | 3600pF @25V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 200 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 200 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 32.0 A |
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技术参数/上升时间： | 120 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 5000pF @25V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 91 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 180W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-247-3 |
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外形尺寸/长度： | 16.26 mm |
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外形尺寸/宽度： | 5.3 mm |
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外形尺寸/高度： | 21.08 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-247-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MTW32N20EG
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-247-3 |
功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247
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IRFP250NPBF
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IXYS Semiconductor | 功能相似 |
INFINEON IRFP250NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 4 V
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