技术参数/额定电压(DC)： | 50.0 V |
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技术参数/额定电流： | 100 mA |
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技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/耗散功率： | 310 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 50 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 100mA |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 80 @5mA, 10V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 202 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 310 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SC-70-3 |
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外形尺寸/高度： | 0.85 mm |
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外形尺寸/封装： | SC-70-3 |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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MUN5213T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SC-70-3 |
ON SEMICONDUCTOR MUN5213T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-70
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MUN5214T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SC-70-3 |
ON SEMICONDUCTOR MUN5214T1G 晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SC-70 新
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