技术参数/额定电压(DC): | 50.0 V |
|
技术参数/额定电流: | 100 mA |
|
技术参数/极性: | NPN |
|
技术参数/耗散功率: | 230 mW |
|
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): | 50 V |
|
技术参数/集电极最大允许电流: | 100mA |
|
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): | 160 |
|
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): | 160 |
|
技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min): | -55 ℃ |
|
封装参数/安装方式: | Surface Mount |
|
封装参数/封装: | SC-59-3 |
|
外形尺寸/长度: | 2.9 mm |
|
外形尺寸/宽度: | 1.5 mm |
|
外形尺寸/高度: | 1.09 mm |
|
外形尺寸/封装: | SC-59-3 |
|
其他/产品生命周期: | Unknown |
|
其他/包装方式: | Tape |
|
符合标准/RoHS标准: | Non-Compliant |
|
符合标准/含铅标准: | Contains Lead |
|
型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
---|---|---|---|---|---|---|
|
Leshan Radio (乐山无线电) | 完全替代 |
MUN2213T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 47k 47k 增益80-140 SOT-23/SC-59 marking/标记 8C ESD保护
|
|||
![]() |
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SC-59-3 |
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
|
||
![]() |
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MUN2213T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-59
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价