技术参数/耗散功率： | 1250 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 18 V |
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技术参数/增益： | 13dB ~ 15.5dB |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 50 @50mA, 5V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.25 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1250 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | Macro-X |
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外形尺寸/高度： | 2.54 mm |
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外形尺寸/封装： | Macro-X |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Kexin | 功能相似 |
NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD
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2SC3357
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NEC (日本电气) | 功能相似 | SOT-89 |
NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD
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