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描述: 晶体管, 射频FET, 130 V, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780S
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封 装: NI-780-4
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/频率:

230 MHz

 

技术参数/无卤素状态:

Halogen Free

 

技术参数/针脚数:

4

 

技术参数/耗散功率:

1.05 kW

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

130 V

 

技术参数/输出功率:

300 W

 

技术参数/增益:

26.5 dB

 

技术参数/测试电流:

100 mA

 

技术参数/输入电容(Ciss):

188pF @50V(Vds)

 

技术参数/工作温度(Max):

225 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

1050000 mW

 

技术参数/额定电压:

130 V

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

5

 

封装参数/封装:

NI-780-4

 

外形尺寸/封装:

NI-780-4

 

物理参数/工作温度:

-65℃ ~ 225℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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