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型号： MRF085HR5
描述： 晶体管, 射频FET, LDMOS, 133 VDC, 235 W, 1.8 MHz, 1.215 GHz, NI-650H
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品 牌： NXP (恩智浦)
封 装： NI-650H-4L
货 期：
包装方式： Tape & Reel (TR)
标准包装数： 1
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50+:
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技术参数/频率：

1.8MHz ~ 1.215GHz

 

技术参数/针脚数：

4

 

技术参数/耗散功率：

235 W

 

技术参数/输出功率：

85 W

 

技术参数/增益：

25.6 dB

 

技术参数/测试电流：

100 mA

 

技术参数/输入电容(Ciss)：

39pF @50V(Vds)

 

技术参数/工作温度(Max)：

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min)：

-40 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max)：

235000 mW

 

技术参数/额定电压：

133 V

 

封装参数/引脚数：

5

 

封装参数/封装：

NI-650H-4L

 

外形尺寸/封装：

NI-650H-4L

 

其他/产品生命周期：

Unknown

 

其他/包装方式：

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准：

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准：

Lead Free

 

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