技术参数/频率： | 40 MHz |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/耗散功率： | 1.75 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 80 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 40 |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.75 W |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 60 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1750 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/长度： | 6.6 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.1 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.3 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 工业, 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
KSH45H11TF
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-252-3 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2Pin, DPAK-3
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MJD45H11T4
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | DPAK-252 |
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
|
||
MJD45H11T4G
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
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