技术参数/额定电压(DC)： | 80.0 V |
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技术参数/额定电流： | 8.00 A |
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技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/耗散功率： | 20 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 80 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 8A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 60 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/长度： | 6.73 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.22 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.38 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tape |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MJD44H11G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
ON SEMICONDUCTOR MJD44H11G 单晶体管 双极, 音频, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
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MJD44H11RLG
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
ON SEMICONDUCTOR MJD44H11RLG 功率晶体管, NPN, 80V, D-PAK
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MJD44H11T4G
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
ON SEMICONDUCTOR MJD44H11T4G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新
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