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型号: MJD253-1G
描述: ON SEMICONDUCTOR MJD253-1G 功率晶体管, PNP, -100V, D-PAK
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封 装: TO-251-3
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包装方式: Tube
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技术参数/频率:

40 MHz

 

技术参数/额定电压(DC):

-100 V

 

技术参数/额定电流:

-4.00 A

 

技术参数/无卤素状态:

Halogen Free

 

技术参数/极性:

PNP

 

技术参数/耗散功率:

12.5 W

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

100 V

 

技术参数/集电极最大允许电流:

4A

 

技术参数/最小电流放大倍数(hFE):

40 @200mA, 1V

 

技术参数/最大电流放大倍数(hFE):

180

 

技术参数/额定功率(Max):

1.4 W

 

技术参数/直流电流增益(hFE):

40

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

1400 mW

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-251-3

 

外形尺寸/长度:

6.73 mm

 

外形尺寸/宽度:

6.35 mm

 

外形尺寸/高度:

2.38 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-251-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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