技术参数/额定电压(DC): | -60.0 V |
|
技术参数/额定电流: | -15.0 A |
|
技术参数/极性: | PNP, P-Channel |
|
技术参数/耗散功率: | 115 W |
|
技术参数/增益频宽积: | 2.5 MHz |
|
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): | -60.0 V |
|
技术参数/集电极最大允许电流: | 15A |
|
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): | 20 |
|
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): | 70 |
|
技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min): | 65 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max): | 115000 mW |
|
封装参数/安装方式: | Through Hole |
|
封装参数/引脚数: | 3 |
|
封装参数/封装: | TO-204-2 |
|
外形尺寸/长度: | 39.37 mm |
|
外形尺寸/宽度: | 26.67 mm |
|
外形尺寸/高度: | 8.51 mm |
|
外形尺寸/封装: | TO-204-2 |
|
物理参数/材质: | Silicon |
|
其他/产品生命周期: | Active |
|
其他/包装方式: | Tray |
|
其他/最小包装: | 100 |
|
符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准: | Lead Free |
|
海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价