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型号: MJ11030G
描述: 高电流互补硅功率晶体管 High-Current Complementary Silicon Power Transistors
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封 装: TO-204-2
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包装方式: Tray
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC):

90.0 V

 

技术参数/额定电流:

50.0 A

 

技术参数/极性:

NPN

 

技术参数/耗散功率:

300000 mW

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

90 V

 

技术参数/集电极最大允许电流:

50A

 

技术参数/最小电流放大倍数(hFE):

1000 @25A, 5V

 

技术参数/额定功率(Max):

300 W

 

技术参数/工作温度(Max):

200 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

300000 mW

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-204-2

 

外形尺寸/长度:

38.86 mm

 

外形尺寸/宽度:

26.67 mm

 

外形尺寸/高度:

8.51 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-204-2

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 200℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

其他/包装方式:

Tray

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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高电流互补硅功率晶体管 High-Current Complementary Silicon Power Transistors
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