技术参数/电源电压(DC)： | 3.00V (min) |
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技术参数/无卤素状态： | Halogen Free |
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技术参数/输出电流： | 50 mA |
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技术参数/供电电流： | 2.00 mA |
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技术参数/电路数： | 1 |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/位数： | 1 |
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技术参数/上升时间： | 130 ps |
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技术参数/输入数： | 1 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
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技术参数/输出通道数： | 1 |
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技术参数/电源电压： | 3V ~ 3.6V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 3.6 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 3 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.5 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | Level Translator |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MC100EPT24DR2G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOIC-8 |
3.3V LVTTL / LVCMOS到差分LVECL翻译 3.3V LVTTL/LVCMOS to Differential LVECL Translator
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MC100EPT24D
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOIC-8 |
3.3V LVTTL / LVCMOS到差分LVECL翻译 3.3V LVTTL/LVCMOS to Differential LVECL Translator
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