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型号: FDP3632
描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定电压(DC):

100 V

 

技术参数/额定电流:

44.0 A

 

技术参数/通道数:

1

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0075 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

310 W

 

技术参数/阈值电压:

4 V

 

技术参数/输入电容:

6.00 nF

 

技术参数/栅电荷:

84.0 nC

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

100 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±20.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

80.0 A

 

技术参数/上升时间:

39 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

6000pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

310 W

 

技术参数/下降时间:

46 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

310W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.67 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.83 mm

 

外形尺寸/高度:

9.4 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Not Recommended for New Designs

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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