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型号: AO3419
描述: -20V,-3.5A,P沟道MOSFET
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/额定功率:

0.9 W

 

技术参数/极性:

P-CH

 

技术参数/耗散功率:

1.4 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

20 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

3.5A

 

技术参数/上升时间:

5.5 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

400pF @10V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

1.4 W

 

技术参数/下降时间:

8 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

1.4W (Ta)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

SOT-23-3

 

外形尺寸/封装:

SOT-23-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/香港进出口证:

NLR

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
FDN340P FDN340P SHIKUES (时科) 功能相似 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN340P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -800 mV
NTR4101PT1G NTR4101PT1G ON Semiconductor (安森美) 功能相似 SOT-23-3
ON SEMICONDUCTOR NTR4101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV
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