技术参数/上升/下降时间: | 130ns, 50ns |
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技术参数/输出接口数: | 2 |
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技术参数/输出电流: | 200 mA |
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技术参数/耗散功率: | 625 mW |
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技术参数/上升时间: | 220 ns |
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技术参数/下降时间: | 80 ns |
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技术参数/下降时间(Max): | 80 ns |
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技术参数/上升时间(Max): | 220 ns |
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技术参数/工作温度(Max): | 125 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -40 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 625 mW |
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技术参数/电源电压: | 5V ~ 20V |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 8 |
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封装参数/封装: | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度: | 5 mm |
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外形尺寸/宽度: | 4 mm |
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外形尺寸/高度: | 1.5 mm |
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外形尺寸/封装: | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度: | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用: | PTC Heater, Oil Pump, HVAC Compressor |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | SOIC-8 |
INFINEON IRS2004SPBF 双路芯片, IGBT/MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
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![]() |
International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | SOIC-8 |
INFINEON IRS2302SPBF 门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 5V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
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IFC | 类似代替 |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
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