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描述: 氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管250W峰值, 1400至00年兆赫, 300μs脉冲, 10 %占空比 GaN on SiC HEMT Pulsed Power Transistor 250W Peak, 1200-1400 MHz, 300μs Pulse, 10% Duty
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