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技术参数/电源电压(DC)： | 36.0 V |
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技术参数/工作电压： | 9V ~ 36V |
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技术参数/供电电流： | 7 mA |
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技术参数/电路数： | 1 |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/耗散功率： | 1000 mW |
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技术参数/共模抑制比： | 100dB ~ 110dB |
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技术参数/输入补偿漂移： | 400 nV/K |
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技术参数/带宽： | 16 MHz |
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技术参数/转换速率： | 55.0 V/μs |
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技术参数/增益频宽积： | 16 MHz |
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技术参数/输入补偿电压： | 130 μV |
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技术参数/输入偏置电流： | 2 pA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -25 ℃ |
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技术参数/增益带宽： | 16 MHz |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1000 mW |
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技术参数/共模抑制比(Min)： | 100 dB |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 4.9 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.91 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.58 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -25℃ ~ 85℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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