技术参数/电源电压(DC)： | 5.00 V, 5.50 V (max) |
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技术参数/供电电流： | 105 mA |
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技术参数/时钟频率： | 70.0 GHz |
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技术参数/存取时间： | 70 ns |
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技术参数/内存容量： | 125000 B |
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技术参数/存取时间(Max)： | 70 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 70 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 0 ℃ |
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技术参数/电源电压： | 4.75V ~ 5.5V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 5.5 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 4.75 V |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 32 |
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封装参数/封装： | DIP-32 |
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外形尺寸/长度： | 43.18 mm |
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外形尺寸/宽度： | 18.8 mm |
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外形尺寸/高度： | 9.52 mm |
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外形尺寸/封装： | DIP-32 |
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物理参数/工作温度： | 0℃ ~ 70℃ (TA) |
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其他/产品生命周期： | Not Recommended for New Designs |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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DS1245Y-70IND+
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Maxim Integrated (美信) | 功能相似 | EDIP-32 |
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
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M48Z128-70PM1
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | DIP-32 |
1兆位128KB X8 ZEROPOWER SRAM 1 Mbit 128Kb x8 ZEROPOWER SRAM
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