技术参数/电源电压(DC): | 3.30 V, 3.60 V (max) |
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技术参数/针脚数: | 44 |
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技术参数/时钟频率: | 100 GHz |
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技术参数/耗散功率: | 1000 mW |
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技术参数/存取时间: | 100 ns |
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技术参数/内存容量: | 256000 B |
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技术参数/工作温度(Max): | 70 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | 0 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 1000 mW |
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技术参数/电源电压: | 3V ~ 3.6V |
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技术参数/电源电压(Max): | 3.6 V |
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技术参数/电源电压(Min): | 3 V |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 44 |
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封装参数/封装: | SOH-44 |
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外形尺寸/封装: | SOH-44 |
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物理参数/工作温度: | 0℃ ~ 70℃ |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | BSOP-44 |
5.0或3.3 V , 256千位( 32千位×8 ) TIMEKEEPER ? SRAM 5.0 or 3.3 V, 256 Kbit (32 Kbit x 8) TIMEKEEPER® SRAM
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ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | BSOP-44 |
3.3V - 5V 256 Kbit的32Kb的X8 TIMEKEEPER SRAM 3.3V-5V 256 Kbit 32Kb x8 TIMEKEEPER SRAM
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![]() |
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | SOIC-44 |
5.0或3.3 V , 256千位( 32千位×8 ) TIMEKEEPER ? SRAM 5.0 or 3.3 V, 256 Kbit (32 Kbit x 8) TIMEKEEPER® SRAM
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