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型号: IPD70N10S3-12
描述: Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFET OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准) ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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封 装: TO-252-3
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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1000-1999:
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技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

125 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

70A

 

技术参数/上升时间:

8 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

3350pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

125 W

 

技术参数/下降时间:

8 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

125 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-252-3

 

外形尺寸/长度:

6.5 mm

 

外形尺寸/宽度:

6.22 mm

 

外形尺寸/高度:

2.3 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-252-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

HID lighting, 48V DC/DC, 48V inverter

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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