技术参数/额定电压(DC)： | 100 V |
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技术参数/额定电流： | 2.20 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 200 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 2.1 W |
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技术参数/产品系列： | IRFL4310 |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 1.60 A |
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技术参数/上升时间： | 18.0 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 330pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | TO-261-4 |
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外形尺寸/封装： | TO-261-4 |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRFL4310PBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-261-4 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFL4310PBF 场效应管, MOSFET, N
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FDT1600N10ALZ
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-223-4 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT1600N10ALZ, 5.6 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
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