技术参数/针脚数： | 2 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.075 Ω |
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技术参数/耗散功率： | 3.13 W |
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技术参数/阈值电压： | 2 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 200 V |
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技术参数/上升时间： | 520 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 3000pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 3.13 W |
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技术参数/下降时间： | 370 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 3.13 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-263-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.67 mm |
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外形尺寸/宽度： | 9.65 mm |
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外形尺寸/高度： | 4.83 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 照明, 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQB34N20LTM
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-263-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB34N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 V
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