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描述: VISHAY SI4922BDY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.0135 ohm, 12 V, 1.8 V
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封 装: SOIC-8
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技术参数/针脚数:

8

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0135 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel, Dual N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

2 W

 

技术参数/阈值电压:

1.8 V

 

技术参数/输入电容:

2070pF @15V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

30 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

8.00 A

 

技术参数/热阻:

50℃/W (RθJA)

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-50 ℃

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

SOIC-8

 

外形尺寸/长度:

5 mm

 

外形尺寸/高度:

1.55 mm

 

外形尺寸/封装:

SOIC-8

 

物理参数/工作温度:

-50℃ ~ 150℃

 

其他/包装方式:

Cut Tape (CT)

 

其他/制造应用:

Power Management, Industrial

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

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