技术参数/针脚数: | 3 |
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技术参数/漏源极电阻: | 0.0063 Ω |
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技术参数/极性: | N-CH |
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技术参数/耗散功率: | 48 W |
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技术参数/阈值电压: | 1.9 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds): | 25 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids): | 57A |
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技术参数/上升时间: | 38 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss): | 900pF @13V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max): | 48 W |
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技术参数/下降时间: | 8.9 ns |
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技术参数/工作温度(Max): | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 48W (Tc) |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | TO-252-3 |
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外形尺寸/长度: | 6.73 mm |
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外形尺寸/宽度: | 6.22 mm |
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外形尺寸/高度: | 2.39 mm |
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外形尺寸/封装: | TO-252-3 |
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物理参数/工作温度: | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准: |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-252-3 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-252-3 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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