技术参数/耗散功率： | 160 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 650 V |
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技术参数/上升时间： | 12 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 3750pF @100V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 160 W |
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技术参数/下降时间： | 16 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 160W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-247-3 |
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外形尺寸/长度： | 15.75 mm |
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外形尺寸/宽度： | 5.15 mm |
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外形尺寸/高度： | 20.15 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-247-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STW38N65M5
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-247-3 |
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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